氧化硅（SiO2）在自然界中通常以石英晶體的形式存在，而在半導(dǎo)體制造工序CVD或PVD中則以非晶的形式存在。硬度高，熔點(diǎn)高，化學(xué)穩(wěn)定性極好，幾乎不與其他化學(xué)品發(fā)生反應(yīng)，絕緣性能好，熱膨脹系數(shù)低等。氧化硅薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用？1、用作刻蝕，擴(kuò)散，離子注入時(shí)的掩膜層；作為刻蝕掩膜，氧化硅具有很高的選擇性，且不與化學(xué)藥水及氣體發(fā)生反應(yīng)；作為擴(kuò)散與離子注入掩膜，阻止摻雜物質(zhì)如硼、磷等擴(kuò)散到硅片的其他區(qū)域，這樣可以精確控制摻雜區(qū)域的邊界；
?2、用作絕緣介質(zhì)（隔離、絕緣柵、多層布線絕緣、電容介質(zhì)等）；作為隔離層，有助于減少各部分間的串?dāng)_；作為柵氧化層，能夠有效控制柵極電壓以對(duì)通道的載流子進(jìn)行調(diào)控，從而控制流過(guò)晶體管的電流；作為介電層，用于隔離不同層之間的金屬層，這樣可以防止電流泄露和短路。?3、用作表面保護(hù)及鈍化。氧化硅薄膜可以用作保護(hù)層，覆蓋在敏感材料表面，以保護(hù)它們免受外濕氣、污染物和化學(xué)腐蝕。作為鈍化層，以改善半導(dǎo)體表面的化學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。它能有效地阻止表面原子的活躍性，減少表面缺陷，從而提高器件的電學(xué)性能。