在氣流磨粉碎鈉電正極材料過程中，可通過以下方法避免團(tuán)聚：

?

控制工藝參數(shù)

?

- 優(yōu)化氣流速度：氣流速度過高會(huì)使顆粒獲得過大能量，導(dǎo)致碰撞過于劇烈，增加團(tuán)聚幾率；速度過低則無法有效粉碎。需根據(jù)材料特性，通過實(shí)驗(yàn)確定合適的氣流速度范圍，使顆粒既能被充分粉碎，又不會(huì)因過度碰撞而團(tuán)聚。

- 調(diào)整進(jìn)料量：進(jìn)料量過大，粉碎腔內(nèi)顆粒濃度過高，顆粒間容易相互碰撞團(tuán)聚。應(yīng)控制進(jìn)料量，使顆粒在粉碎腔內(nèi)有足夠的空間分散，一般根據(jù)設(shè)備的處理能力和材料性質(zhì)，將進(jìn)料量控制在設(shè)備最佳運(yùn)行范圍的較低區(qū)間。

- 選擇合適的粉碎時(shí)間：粉碎時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)使顆粒過度細(xì)化，比表面積增大，表面能增加，從而導(dǎo)致團(tuán)聚。需通過實(shí)驗(yàn)確定最佳粉碎時(shí)間，在達(dá)到所需粒度的同時(shí)，避免過度粉碎。

?

加入分散劑

?

- 選擇合適的分散劑：根據(jù)鈉電正極材料的性質(zhì)，選擇能有效降低顆粒表面能、提高顆粒表面電荷密度的分散劑，如有機(jī)高分子聚合物、表面活性劑等。它們能吸附在顆粒表面，形成一層保護(hù)膜，阻止顆粒相互靠近團(tuán)聚。

- 控制分散劑用量：用量過少，分散效果不佳；用量過多，可能會(huì)影響材料的性能。一般通過實(shí)驗(yàn)確定最佳用量，通常為材料質(zhì)量的0.5% - 2%。

?

改善設(shè)備結(jié)構(gòu)

?

- 優(yōu)化粉碎腔設(shè)計(jì)：采用合理的粉碎腔形狀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使氣流在腔內(nèi)分布更均勻，減少顆粒的局部聚集，例如采用對(duì)稱結(jié)構(gòu)的粉碎腔，避免氣流出現(xiàn)死角。

- 增加分級(jí)裝置：在氣流磨中設(shè)置分級(jí)裝置，及時(shí)將達(dá)到粒度要求的顆粒分離出來，避免其在粉碎腔內(nèi)繼續(xù)停留而團(tuán)聚，同時(shí)也可防止大顆粒未充分粉碎就被排出。

?

環(huán)境控制

?

- 控制濕度：環(huán)境濕度過高，顆粒表面容易吸附水分，導(dǎo)致顆粒間因水的作用而團(tuán)聚。應(yīng)將粉碎環(huán)境的濕度控制在較低水平，一般相對(duì)濕度控制在40% - 60%。

- 防止靜電：顆粒在粉碎過程中易產(chǎn)生靜電，導(dǎo)致相互吸引團(tuán)聚?？赏ㄟ^在設(shè)備上安裝靜電消除裝置，或采用防靜電材料制作設(shè)備部件等措施，及時(shí)消除靜電。